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研究電漿蝕刻技術製作奈米級光阻線. Utilization of plasma etching technique for studing the fabrication of nanometer scale based photoresist lines.

「乾式」(電漿) 蝕刻是用於電路清晰度步驟，而「濕式」蝕刻(使用化學浴) 主要用於清潔晶圓。乾式蝕刻是半導體製造中最常用的製程之一。開始蝕刻前，晶圓上會塗上一層光阻 ...

非常活潑. • 增進化學反應速率. • 對蝕刻製程和CVD來說非常重要. 8. 電漿蝕刻. • CF. 4. 氣體在電漿中分解，產生氟自由基以. 進行氧蝕刻製程.

C. R. Yang, NTNU MT. -2-. 濕式蝕刻法. 乾式蝕刻法. 溼式與乾式蝕刻. 電漿. 蝕刻 ... 利用氧電漿對PDMS表面進行改質，使其表面更具. 親水性. ○ 利用氧電漿去除光阻.

為達到上述及遵照本發明的目的，在一實施例中，提供一種透過形成於其上之圖案化遮罩來蝕刻矽層的方法。矽層乃置於蝕刻腔室中。將含有含氟氣體及含氧及氫之氣體的蝕刻氣體 ...

選擇性蝕刻是將光阻上的IC設計圖案轉移到晶圓表面. ▫ 其他的應用: 光罩製作, ... 恰當的化學蝕刻亦可踢除. ▫ 氧電漿灰化製程(Oxygen plasma ashing): 去除有機殘餘物.

表面間之作用機制；此外，亦探討其電漿束於矽材蝕刻之應用可行性。 Abstract：Atmospheric-pressure (AP) plasma ... 氧氣(O2)與氮氣(N2)，針對碳化矽(SiC)材料之蝕刻.

在日常生活中使用的日光燈就是電漿的應用，隨著科技日益進步電漿也廣泛的應用在半導體製造中，像薄膜沉積製程中的濺鍍、化學氣相沉積；蝕刻製程的乾式蝕刻與佈植技術 ...

舉例來說，氧氣電漿，碰到以碳原子為主的高分子材料(塑膠) 表面時，就很 ... 反應的速度是非常慢的)，這種電漿反應在工業界習稱為電漿蝕刻(etching) ...

當使用活性高的氣體（容易與其他物質產生化學反應的氣體），如氧氣，所形成的電漿進行蝕刻，則除了物理性的轟擊外，電漿中的離子與氣體都可以用化學腐蝕的方式移除表面上的 ...