乾蝕刻機台、乾蝕刻機台、蝕刻機廠商在PTT/mobile01評價與討論，在ptt社群跟網路上大家這樣說

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「乾式」(電漿) 蝕刻是用於電路清晰度步驟，而「濕式」蝕刻(使用化學浴) 主要用於清潔晶圓。乾式蝕刻是半導體製造中最常用的製程之一。開始蝕刻前，晶圓上會塗上一層光阻 ...

因此Plasma被用在半導體，LCD行業中Etching的工藝中，多用在矽和矽的化合物（SiNx、SiOx 等）的蝕刻工藝，隨著設備的改進，也可用於金屬鋁的蝕刻。 Plasma ...

最常使用的乾式蝕刻為平行板反應性離子蝕刻。這種方法是將晶圓板置於真空的化學反應室中，導入所需的蝕刻氣體。與上部電極平行放置的 ...

蝕刻 (Etching). ▫. 表面物質去除化的製程: 化學蝕刻、物理蝕刻、複合蝕刻. ▫. 選擇性蝕刻或整面全區蝕刻. ▫. 選擇性蝕刻將IC光阻上的設計圖形轉移至晶圓表面層.

比起目前最成熟的微波元件材料砷化鎵、便宜. 的矽半導體製程、以及近年來在功率元件亦相當熱門的碳化矽(SiC)半導體，氮. 化鎵跟這些材料競爭者有何差別？參見圖2-1 與表2-1 ...

何謂蝕刻(Etch)?. 答：將形成在晶圓表面上的薄膜全部，或特定處所去除至必要厚度的製程。蝕刻種類: 答：(1)干蝕刻(2)濕蝕刻. 蝕刻對象依薄膜種類可分 ...

蝕刻技術. (Etching). 嚴大任助理教授. 國立清華大學材料科學工程學系 ... 石英管清洗1台. ▫ 晶片旋乾機（3"、4"）. 各1台. ▫ 注水鵝頸龍頭、DI水槍.

為保持線上標準poly-gate 製程的穩定，避免不當晶片進行蝕刻造成chamber 嚴重污染，將從. 嚴管制進入本機台之晶片材質及未取得使用資格之操作人員。

乾蝕刻主要與微影製程搭配，先透過微影技術定義光阻位置與結構，選定出蝕刻區域後，再利用化學反應或物理轟擊的方式，將蝕刻區域去除，保留下來的區域即為 ...

主要的蝕刻製程是矽蝕刻、多晶矽蝕刻、介電質蝕刻和金屬蝕刻。 ... 蝕刻技術可以分為『濕蝕刻』(wet etching)及『乾蝕刻』(dry etching)兩類。